MOSFET是一种金属-氧化物半导体场效应晶体管，是现代信息社会中制造产量最大的核心电子器件之一，也是电子发展历史上最成功的器件 。以下是MOSFET的发明历史和重要人物的介绍：
1、MOSFET最初由Mohamed Atalla和Dawon Kahng在1960年代初期发明 。
2、Mohamed Atalla是贝尔实验室的研究员，他在1957年发明了氧化硅保护层，这项技术为晶体管的制造提供了保护，并使其更加稳定 。
3、Dawon Kahng是Atalla的同事，他在Atalla的帮助下，研究出了MOSFET的基本结构和工作原理 。
MOSFET的发明极大地丰富了它的产品应用和市场前景，已经成为我们生活中不可或缺的一部分。以下是MOSFET的基本概念和应用领域的介绍：
1、MOSFET的独特之处在于第三个端子G——栅极，它是一个由金属电极、氧化物薄膜和半导体衬底组成的MOS电容器，这个电容器端子在作为输入端时，具有很高效的直流电流阻断特性，很好的实现开的时候沟道电流大，关的时候漏电流尽可能小 。
2、MOSFET制成的放大器在广泛的频率应用中被广泛采用，提供了直流电动机的规定，同时也非常适合斩波放大器的结构，用作各种电子元件的无源组件 。
英飞凌拥有超过40年的功率MOSFET创新经验，一直在引领着帮助设计工程师解决日常工作中遇到的挑战，实现他们的设计目标 。MOSFET的封装创新也是英飞凌MOSFET产品发展的核心。1993年，英飞凌推出了业界第一个功率MOSFET的表贴封装形式：SOT-223。2002年，又推出了一种专利的表贴封装形式：DirectFET™功率封装，它采用了一种全新的连接方法，在传导和热效率方面都有着革命性的性能提升 。
